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考試科目名稱：半導體物理

科目代碼：846

一、物理基礎

1．晶體中原子的結合。

2．晶體結構與對稱性。

3．常見晶體結構。

4．晶格振動與聲子。

5．光學聲子與聲學聲子。

二、半導體材料的能帶結構

1．能帶的形成。

2．導帶、價帶、禁帶及禁帶寬度。

3．材料的導電性能與能帶結構的關系。

4．直接帶隙與間接帶隙。

5．導帶電子與價帶空穴，載流子。

6．電子與空穴的有效質量。

7．施主與受主，類氫原子近似。

8．P型、N型和本征半導體材料的特點。

9．雜質對半導體導電性能的影響。

三、半導體材料的電學性能

1．外場下半導體材料中載流子的運動形式。

2．半導體材料的遷移率與電導率。

3．半導體材料的電學性能隨溫度的變化。

4．半導體材料的電學性能隨雜質濃度的變化。

5．半導體材料的光電導與非平衡載流子。

6．半導體材料的霍爾效應。

7．半導體材料的熱電現象。

四、半導體器件

1.PN結的結構與電學性能，I-V曲線。

2.MOS器件的結構、工作原理及電學性能特點。

3.雙極型三極管的結構、工作原理及電學性能特點

4.發(fā)光二極管的工作原理。

5.太陽能電池的工作原理。

6.半導體溫度傳感器的工作原理。

五、半導體材料分析測試技術

1.半導體材料禁帶寬度的測量方法。

2.半導體材料中雜質電離能的測量。

3.半導體材料載流子濃度的測量方法。

4.半導體材料電阻率的測量。

5.半導體材料中載流子遷移率的測量方法。

6.半導體材料中少數載流子壽命的測量方法。

參考書目：《半導體物理》(第1版)，季振國編，浙江大學出版社，2005.9

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