《半導(dǎo)體器件》博士入學(xué)考試大綱
1半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)
半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，半導(dǎo)體工藝技術(shù)。
2P-N結(jié)
工藝步驟，熱平衡，勢壘電容，電流-電壓特性，電荷儲存與暫態(tài)響應(yīng)，擊穿，異質(zhì)結(jié)。
3雙極型晶體管及相關(guān)器件
雙極型晶體管工作原理，靜態(tài)特性，頻率響應(yīng)與開關(guān)特性，異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，可控硅器件及相關(guān)功率器件。
4MOSFET及相關(guān)器件
基本原理，按比例縮小，CMOS與雙極型CMOS（BICMOS，絕緣層上MOSFET（SOI），功率MOSFET。
5MESFET及相關(guān)器件
金屬-半導(dǎo)體接觸，金屬場效應(yīng)晶體管（MESFET），調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管。
6微波二極管、量子效應(yīng)和熱電子器件光電器件
微波技術(shù)，隧道二極管，碰撞電離雪崩渡越時間二極管，轉(zhuǎn)移電子器件，量子效應(yīng)器件，熱電子器件。
7光電器件
輻射躍遷與光的吸收，發(fā)光二極管，半導(dǎo)體激光器，光探測器，太陽能電池。
更多信息請查看學(xué)歷考試網(wǎng)
公眾號
事業(yè)單位
當(dāng)前位置：
公考類
招聘類
各類考試