考試科目編號：3502

考試命名名稱：半導體物理

一、 考試的總體要求

本門課程主要考察學生對半導體物理的基本概念、基本理論和基本方法的全面認識，正確理解和運用能力。要求考生對其基本概念有較深入的了解，能夠系統(tǒng)地掌握書中基本定律的推導、證明和應用，并具有綜合運用所學知識分析問題和解決問題的能力。掌握《半導體物理學》中半導體的晶格結構和電子狀態(tài);雜質和缺陷能級;載流子的統(tǒng)計分布;載流子的散射及電導問題;非平衡載流子的產(chǎn)生、復合及其運動規(guī)律;半導體的表面和界面─包括p-n結、金屬半導體接觸、半導體表面及MIS結構、異質結;半導體的光學性質、光電與發(fā)光等物理現(xiàn)象和非晶半導體部分。

二、 考試的內容

1.基本概念：半導體的電子狀態(tài)和能帶所涉及的如態(tài)密度、空穴及有效質量等概念;半導體中雜質和缺陷的基本類型及其特征;半導體中載流子的統(tǒng)計分布;半導體的導電性所涉及的電導率、遷移率及散射等基本概念;非平衡載流子統(tǒng)計分布所涉及的各種復合和非平衡載流子的壽命等概念;pn結及金屬半導體接觸所涉及的同質結、異質結、歐姆接觸、肖特基接觸等基本概念;半導體的光學性質和光電與發(fā)光現(xiàn)象所涉及的各種躍遷、光伏效應及發(fā)光效率等概念。

2、基本理論：半導體中電子的狀態(tài)和能帶理論，熱缺陷數(shù)目的統(tǒng)計，半導體中載流子的統(tǒng)計分布理論，半導體的導電性所涉及的電導率的統(tǒng)計理論，非平衡載流子產(chǎn)生與復合理論，pn結電流電壓特性及金屬半導體接觸整流理論，半導體的光學性質、光電與發(fā)光等現(xiàn)象。

3.計算方法：態(tài)密度、費米能、費米溫度、禁帶寬度，電子與空穴的有效質量、平均速度，電子與空穴的摻雜、費米能級，電導率和電阻率、遷移率、平均自由時間和平均自由程、電子與空穴的擴散長度與擴散電流，pn結的內建電勢差、勢壘寬度、金屬半導體接觸電勢差等。

三、 考試的題型

名詞解釋、簡答題、作圖題、計算題