一、考試目的

《半導體物理學》是材料科學、微電子學與光電子學、通信等領域重要的專業(yè)基礎課程，該課程的博士研究生入學成績在客觀上可以為相關博士生導師在半導體物理學方面提供該生是否具備從事所報考專業(yè)的一個基本判斷。本考試的主要目的是為北京郵電大學在半導體材料、半導體器件以及光電子學等相關專業(yè)和領域選拔具備較高《半導體物理學》專業(yè)基礎，且有志于深造攻讀博士學位的碩士研究生。

二、試題結構

試題結構分為四類，第一類為選擇題：20分；第二類為填空題：20分；第三類為論述和計算題：50分；第四類為選做題10分，主要考察創(chuàng)新能力。

三、考試內容

考慮到北京郵電大學在學科發(fā)展和建設方面的需要，考試內容側重于半導體材料以及半導體材料在光電子方面的應用。具體包含如下內容：

第一部分：常見半導體的晶體結構、能帶和電子結構，能帶電子結構計算的幾種方法和基本原理，有效質量的概念，電子在半導體中的運動，布洛赫震蕩。

第二部分：半導體的摻雜，雜質結合能，淺能級雜質、深能級雜質，重摻雜，摻雜對半導體物理特性的影響和摻雜的應用。

第三部分：半導體的輸運特性，電導率，遷移率，電導率遷移率的影響因素，波爾茲曼方程和弛豫時間近似，強電場效應，多能谷散射。磁場下的霍爾效應及應用

第四部分：平衡載流子和非平衡載流子，態(tài)密度，費米分布，載流子濃度。非平衡載流子的壽命，準費米能級，復合理論，陷阱效應，連續(xù)性方程。

第五部分：半導體異質結構，異質結、異質結構帶階，應變異質結構以及應變對材料能帶的影響。

第六部分：半導體的光學特性，光吸收和光發(fā)光現(xiàn)象，直接躍遷和間接躍遷，聯(lián)合態(tài)密度，激子，激子結合能，激子效應。

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