1、面試時間：外語成績線公布之后

2、面試形式：提問

3、面試內(nèi)容：

第一部分：半導(dǎo)體器件物理

重點(diǎn)考察考生在半導(dǎo)體基本概念、器件物理基礎(chǔ)、深亞微米器件物理知識方面掌握和理解的程度以及分析問題和解決問題的能力。

（1）半導(dǎo)體能帶理論及其計(jì)算方法；

（2）半導(dǎo)體中載流子的輸運(yùn)理論；

（3）半導(dǎo)體中熱、電、磁、光、壓阻等效應(yīng)機(jī)理；

（4）半導(dǎo)體器件（MOSFET、BJT）基本原理與非理想效應(yīng)；

（5）化合物半導(dǎo)體材料特性及器件；

（6）半導(dǎo)體超晶格及二維電子氣。

主要參考書目

（1）《半導(dǎo)體物理學(xué)》，劉恩科等編，電子工業(yè)出版社；

（2）《半導(dǎo)體物理與器件》(美) ，趙毅強(qiáng)、姚素英等譯，電子工業(yè)出版社；

（3）《現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理》，施敏（美），劉曉彥、賈霖、康晉鋒譯，科學(xué)出版社。

第二部分：電介質(zhì)理論

重點(diǎn)考察考生在電介質(zhì)物理基本概念、電介質(zhì)極化、電導(dǎo)、交變電場中的介質(zhì)損耗等方面掌握和理解的程度以及分析問題和解決問題的能力。

（1）恒定電場中電介質(zhì)的極化； （2）恒定電場中電介質(zhì)的電導(dǎo)；（3）交變電場中電介質(zhì)的損耗。

主要參考書目：

（1）電介質(zhì)物理導(dǎo)論，李瀚如編，成都電子科技大學(xué)出版社；

（2）電介質(zhì)物理基礎(chǔ)，孫目珍，華南理工大學(xué)出版社；

（3）電介質(zhì)物理，張良瑩、姚熹，西安交通大學(xué)出版社。

4、面試分?jǐn)?shù)：100分

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